GB/T13539.4-2016低壓熔斷器第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求.pdf
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本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設備上的熔斷體，該熔斷體適用于標稱電壓不超過交流1o00V或直流1500V的電路。如適用，還可用于更高的標稱電壓的電路。注1：此類熔斷體通常稱為“半導體熔斷體”.注2：在多數情況下，組合設備的一部分可用作熔斷器底座。由于設備的多樣性，難以作出一般的規定；組合設備是否適合作熔斷器底座，宜由用戶與制造廠協商．但是，如果采用獨立的熔斷器底座或熔斷器支持件，他們應符合IEC60269一l:2006的相關要求。
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